導(dǎo)致小兒腦癱的病因有哪些?

來源：新特藥房藥訊作者：百濟(jì) 瀏覽：發(fā)布時(shí)間：2006/8/17 16:32:00

腦性癱瘓的直接原因是腦損傷和腦發(fā)育缺陷，很多原因都可以構(gòu)成高危因素，簡單的可將其分為先天因素和妊娠期、分娩時(shí)、新生兒期的傷害因素。大致歸納如下：

1.遺傳因素

受精卵含有父母雙方的DNA遺傳物質(zhì)，它們組成基因呈直線排列在染色體上，當(dāng)染色體出現(xiàn)數(shù)目畸變或結(jié)構(gòu)畸變、基因突變或先天性代謝缺陷時(shí)就可產(chǎn)生先天性畸形，表現(xiàn)出個(gè)體的發(fā)育異常。近年來的研究認(rèn)為，遺傳因素在腦性癱瘓中影響越來越大。某些患兒可追溯出家族遺傳病史，在同輩或上輩的母系及父系家族中有腦癱、智力障礙或先天畸形等。

2.妊娠期因素

（1）母體遭受感染：母體在胚兒期遭受風(fēng)疹、巨細(xì)胞病毒、弓形體病、梅毒、單純皰疹病毒、EB病毒等感染通過胎盤侵及胎兒產(chǎn)生先天性感染與畸形。

（2）妊娠時(shí)的環(huán)境因素：胚胎在母體子宮內(nèi)發(fā)育時(shí)，極易受外界環(huán)境因素如物理、化學(xué)或生物因子的影響，尤其對(duì)8周以內(nèi)的胚胎更為敏感，引起胚胎的分化發(fā)育障礙，產(chǎn)生先天性畸形。

a.物理因素最常見的物理性致畸因子有射線、機(jī)械因素、高溫、嚴(yán)寒、微波、缺氧等。

1）射線 X線和放射性同位素的α、β、γ射線對(duì)人胚神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用，當(dāng)小于3個(gè)月的胎兒受輻照的劑量超過25cGy時(shí)，可增加胎兒畸形或死亡的危險(xiǎn)。

2）高溫高溫對(duì)早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當(dāng)受精后20～28天期間，孕婦如發(fā)燒至39℃以上時(shí)，胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形，而在妊娠4～14周時(shí)孕婦接觸高溫后，胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯，肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。

b.化學(xué)因素許多藥物和環(huán)境污染物對(duì)胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時(shí)間等有關(guān)，也和胚胎月齡有關(guān)。致畸藥物的種類繁多，常見的有：抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機(jī)汞、酒精等。

（3）母體患慢性疾病：妊娠期的低氧血癥、營養(yǎng)障礙，是直接或間接導(dǎo)致腦性癱瘓的原因。如妊娠高血壓綜合征、心力衰竭、大出血、休克、重度貧血、胎盤異常、糖尿病、肺結(jié)核、慢性肝炎、慢性腎炎等。

3.產(chǎn)時(shí)因素

（1）滯產(chǎn)：如頭盆不稱、骨盆狹窄、胎位不正、高齡初產(chǎn)、巨大兒、子宮收縮乏力等使產(chǎn)程延長，發(fā)生滯產(chǎn)，引起胎兒宮內(nèi)窘迫，未能即使處理者；

（2）手術(shù)操作不當(dāng)：如高位產(chǎn)鉗、胎頭吸引、臀位產(chǎn)后出頭困難；

（3）臍帶血流阻斷：如臍帶脫垂、壓迫、打結(jié)或繞頸等；

（4）胎盤異常：如胎盤早剝、前置胎盤、胎盤梗死或胎盤功能不良等；

（5）新生兒窒息、巨大兒等。

4.新生兒期疾病影響

(1)新生兒期呼吸障礙、驚厥：新生兒呼吸窘迫綜合征、吸入性肺炎、肺不張、肺透明膜病、肺水腫及持續(xù)驚厥抽搐，都可影響腦組織的供血供氧，導(dǎo)致缺氧缺血性腦病。

(2)高膽紅素血癥：如母兒血型不合、新生兒敗血癥等造成核黃疸，腦組織細(xì)胞的線粒體的氧化磷酸化的解偶聯(lián)作用發(fā)生障礙，腦細(xì)胞能量產(chǎn)生不足，而變性壞死，造成小兒腦癱。

（3）中樞神經(jīng)系統(tǒng)感染：急性腦炎、腦膜炎、敗血癥、頭部外傷等感染引起的新生兒休克等導(dǎo)致腦組織缺氧缺血。

（4）新生兒維生素K缺乏，引起顱內(nèi)出血等。

總體上講，腦性癱瘓的出生前原因約占20%左右，圍產(chǎn)期與分娩原因占70%－80%，出生后的原因?yàn)?5%－20%。一般認(rèn)為，窒息、末成熟兒、重癥黃疸為腦性癱瘓的三大主要致病因素。但近年來，重癥黃疸引起的腦性癱瘓減少，末成熟兒腦性癱瘓發(fā)病也減少，出生前因素導(dǎo)致腦性癱瘓的比例有增多趨勢(shì)。

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